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IRFB3077PBF

厂商名称：英飞凌

元件分类：MOS管

中文描述：

英飞凌Infineon MOSFET，HEXFET系列，N沟道，Si，Vds=75 V，210 A，3引脚TO-220AB封装

英文描述：

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

数据手册：

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IRFB3077PBF概述

IRFB3077PBF是一款75V单N沟道HEXFET®功率MOSFET，采用Trench MOSFET技术实现极低的导通电阻和快速开关性能。适用于高效同步整流，用于SMPS，不间断电源，高速电源开关，硬开关和高频电路。

改良的门极，雪崩与动态dv/dt耐用性

完全表征电容值与雪崩SOA

增强体二极管dV/dt与dI/dt功能

应用

电源管理

IRFB3077PBF中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	210 A	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大漏源电压	75 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	TO-220AB	典型栅极电荷@Vgs	160 nC @ 10 V
安装类型	通孔	高度	9.02mm
引脚数目	3	宽度	4.82mm
最大漏源电阻值	3 mΩ	长度	10.66mm
通道模式	增强	最高工作温度	+175 °C
最大栅阈值电压	4V	系列	HEXFET
最小栅阈值电压	2V	最低工作温度	-55 °C
最大功率耗散	370 W	晶体管材料	Si